发布时间:2025-12-01
DDR4内存正经历一场罕见的价格风暴。
从4月存储巨头宣布削减产能,到美光正式发布提产通知,再到三巨头纷纷停止接单,DDR4价格犹如乘坐过山车般迅速攀登到顶峰。
当前,DDR4主流型号价格同比暴涨200%—300%,部分规格涨幅突破45%,远超行业历史周期性波动幅度,更出现了颠覆传统产品迭代规律的价格倒挂现象,DDR4价格一度比新一代DDR5高出40%,打破了新老产品正常的价格梯度。
现货市面,DDR4交易甚至陷入“一天一价”的混乱局面,以往的批量采购模式逐渐被“价补量”的溢价抢购所取代;与此同时,产品交付周期也创下行业纪录,大幅延长至52周以上,这也意味着企业下单后需等待一年之久才能拿到货,供需失衡引发的价格乱象已全面蔓延。
AI驱动产能转移 三大巨头“砍半”DDR4产能
价格乱象背后,是AI驱动的产能转移、厂商战略调整与市场供需失衡共同导致的结构性短缺。
其中,AI爆发式增长是根本推手,互联网巨头、云服务商和芯片制造商全力投入AI领域,大量资源被AI吸走,存储行业尤为明显。
而AI高算力需求带来的高利润产品需求,为三星、SK海力士和美光三大存储巨头提供了战略转型契机,集体将产能转向高附加值的HBM和DDR5生产。其中,三星已停止接收DDR4新订单,计划2025年底全面停产;SK海力士将DDR4产能占比从30%压缩至20%;美光也大幅削减DDR4产量。
过去,三星、海力士和美光每月产能合计约50万—60万片,占据全球DRAM供应链的90%,2025年产能几乎砍半,到2026年三大家几乎没有剩余。而现阶段,市场对DDR4和LPDDR4需求每月仍有五六十万片。
除三大家之外,还有5家企业在做DRAM产品,包括国内的合肥长鑫和晋华,中国台湾的南亚、华邦和力积电;其中,南亚、华邦、力积电和晋华的DRAM产品主要集中在DDR3和DDR2和部分DDR4,合肥长鑫主要做DDR5和部分DDR4。
由于国内算力需求非常大,导致合肥长鑫主要产能和扩产产能也集中于DDR5和HBM,所以留给DDR4/3/2的产能远远无法满足市场需求,甚至未来供应会持续降低,产能被拉去做更高端的产品。

全球存储晶圆厂商产能
产能调整与市场需求间出现明显的时间差效应,厂商减产速度远超DDR5增产速度,而PC、工控、网通等领域仍存在大量DDR4刚性需求,导致供需严重失衡。
由于DDR4和DDR3的部分产线是共用的,DDR4短缺后,导致部分DDR3产线去生产DDR4,这也导致DDR3的产能在减少,导致DDR3也出现缺货和涨价情况;同样的道理,DDR3利润好了,导致DDR2的部分产能转向生产DDR3。
这就让当前DRAM产品供应产生多米诺骨牌效应,目前,有近23%的DDR3和DDR2产能被转去做DDR4,导致DRAM全线产品出现涨价和缺货态势。
也有人说,存储半导体价格呈现规律性周期变化,而2025年便是涨价时刻,是资本巨头操控而为。近十年,行业典型周期时长约3—4年,每轮周期由不同需求与技术变革驱动。
2016—2019年因DDR4技术迭代叠加手机游戏需求爆发,存储价格累计涨幅超100%;2020—2023年受疫情催生的远程办公需求先拉动上涨,后因需求疲软与产能过剩陷入调整,累计跌幅超50%。
业内人士坦言,过去存储行业的涨跌虽然具备周期性,但是今年的市场行情或将打破原来市场趋势,特别是在DDR4和LPDDR4级以下,以及SLC NAND等中低容量的市场,将持续呈现上升趋势,预计拐点将于明年6月底出现。
DRAM全线告急 视觉IoT行业成本飙升20%
无论何种原因,当前DRAM产能紧缺是毋庸置疑的事实,目前已经传导到产业链上中下游。

安防设备内存需求一览表
视觉物联了解到,安防行业对DRAM产品需求主要集中在DDR4、DDR3和DDR2,部分高端产品及边缘盒子选择DDR5和LPDDR5。受产能影响,首当其冲的便是主控芯片厂家。
例如,如果IPC芯片是合封的,在DDR存储颗粒选择上,64MB用的是DDR2,128MB是DDR3,256MB也是DDR3,其中存储占据整体成本约10%—20%之间。
由于存储价格已经翻了3倍,涨幅已经传导至上游主控芯片领域。目前,海思、北京君正和星宸科技均发布涨价通知。与此同时,每月需求量不大的IPC芯片企业,将被存储供应商限制供应,甚至在产能吃紧情况下,优先供应头部客户而放弃少量客户。
除主控芯片之外,目前元器件产品均出现不同程度涨价,导致产品端综合采购成本上升超20%。相应的方案商、整机商再到销售者终端均将受到波及。
对整机企业和品牌商而言,一部分企业或将主动放弃低端市场,转向高价值产品,被迫转型;一部分低价竞争企业,或将面临生存危机;还有一部分在主控芯片供应方面没有议价权的企业,或也将面临产能大打折扣等风险。
而这波由存储行业引发的涨价潮,将迫使行业整体走向规范化,倒逼企业做赚钱的产品而非单纯追求销量,加速行业洗牌。
供应端扩产要2年 企业端转产、买二手各有难题
为缓解产能紧缺情况,供应端和企业端均开始另辟蹊径。
供应端,晶圆厂商通过提升制程的方式来提升产能,因为制程越先进,单片晶圆的产出就会更多,单位面积成本及功耗也会相应下降。
据了解,华邦电子DRAM产能制程已推进至16nm,通过提高单位晶圆的产出量来扩大出货,以满足客户需求。16nm制程上已经量产8GbLPDDR4,每个月出货量达到百万级,未来还会陆续推出16GbDDR4和LPDDR4产品,填补市场空缺。
目前,华邦电子有两座晶圆厂,其中台中科学园区2006年开始导入量产,每月可生产6万片(12吋)晶圆产能;高雄科学园区2022年第四季度开始导入量产,目前每月晶圆产能1.5万片(12吋),而先进制程的DRAM产品就在高雄科学园区生产。其中,DRAM的产能目前超2万片。
与此同时,瞄准利基型DRAM市场,华邦电子今年宣布了新的扩产计划,预计投资约400亿新台币(约92.3亿元人民币),将高雄厂月产能从1.5万片提升至2.4万—2.5万片,约三分之二用于16nm制程,主要生产8Gb DDR4/LPDDR4和4Gb DDR3产品。
但远水解不了近渴,即使是老玩家扩产DRAM产能也至少需要两年。例如全球稀缺的光刻机等关键设备交付需9-18个月,配套的超净间及特种水电气系统建设要6-12个月;DRAM工艺精度要求极高,设备调试、工艺验证及良率稳定需长期推进,人才培养也需时间;加之巨额资金筹集与监管审批耗时久,后续产能爬坡亦需周期,这些环节环环相扣,共同导致扩产周期至少两年起步。
企业端,目前市场中有两种方式来缓解供应紧张情况。
一方面转高产能DRAM产品,例如从DDR4转到DDR5。但因为DDR5缺少小容量选项,起步便是4GB,很多应用是无法转过去的。某晶圆厂商表示,将来是否会出现2GB DDR5尚不确定,但至少2GB容量及以下一定不会有LPDDR5。
而一些嵌入式SoC,要去增加支持DDR5和LPDDR5的成本也很高,将来SoC主力的应用容量究竟落在哪里会统筹考虑。例如2GB以下停留在DDR4和LPDDR4,2GB以上再花钱增加DDR5,给客户多种选择。
另一方面,一些中小企业无法得到原厂的优先供应,在市场价格疯涨情况下,部分企业选择在市场购买二手DRAM产品来缓解存储供应。
涨价潮倒逼转型 低价竞争时代终结?
这场由AI产业爆发、存储巨头战略转型引发的DRAM供应危机,将成为行业升级的催化剂。那些依赖低价存储打价格战的企业将逐渐被淘汰,而聚焦高价值产品、提前布局技术适配的企业,将在洗牌中抢占先机。
短期来看,明年6月底的行业拐点仍需等待,在扩产产能释放前,DDR4、DDR3等产品的供应紧张与价格高位运行或将持续,中小企业的被动局面难以快速改变。
但长期来看,随着华邦电子等企业先进制程扩产落地、DDR5或许出现更贴合轻量应用的小容量版本等生态完善,以及行业对高价值产品的聚焦,存储供需将逐步回归新的平衡。
对产业链上的每一位参与者而言,与其纠结于短期价格波动,不如抓住行业变革的机会。毕竟,行业洗牌的本质不是淘汰企业,而是淘汰落后的经营逻辑。
当存储不再是“低价耗材”,那些真正能创造核心价值的企业,终将在变局中站稳脚跟。而这场存储行业的超级周期,也终将成为视觉IoT行业走向规范化、高质量发展的重要注脚。
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